In de nabijheid van een gedoteerde P of N laag bevind zich een laag metaal, de gate genoemd. Door op de gate een elektrische lading aan te brengen, zal de nabijgelegen N of P laag geleidend worden.

In tegenstelling tot een 'gewone' transistor loopt bij een FET geen stroom door de Gate zoals door de basis van een transistor. De enige stroom die van/naar de gate loopt wordt veroorzaakt door het capacitieve effect van de gate, en is in de praktijk nagenoeg te verwaarlozen.

Bij FET's wordt gesproken van een gate, source en drain, in tegenstelling tot de benameing van een gewone transistor waar basis, collector en emitter gebruikt worden. Sommige FET's hebben qua gebruik geen verschil tussen de source en de drain, maar door geavanceerde construcietechnieken, bijvoorbeeld het varieren van de dikte van de P of N laag, is het mogelijk om een FET speciaal gevoelig te maken voor het spanningsverschil tussen gate en source, waarbij het verschil tussen gate en drain te verwaarlozen is.

Moderne CMOS-IC technologie maakt bijna altijd gebruik van FET's. Ook voor versterkerschakelingen worden steeds vaker FET's gebruikt, mede door terugkoppeling met behulp van een Op-Amp is de FET een veel gebruikte transistor geworden.

Wanneer een FET gebruikt wordt is vaak sprake van een hex-FET. Dit is een FET waarin - in het oorspronkelijke ontwerp - zes FET's gecombineerd zijn. Deze schakeling maakt het mogelijk dat de FET zich nagenoeg als een 'ideale' FET gedraagt. In volledige geleiding bedraagt de weerstand tussen de source en de drain van een moderne hexfet vaak slechts enkele honderste Ohm, waardoor de FET grote stromen kan schakelen zonder noemenswaardig warm te worden. Fets worden dan ook wel vaak gebruikt als elektronisch relais.

Een nadeel van de FET is de gevoeligheid voor elektrostatische lading. Omdat de gate hoogohmig is, kan een eventuele statische lading niet weg en zo kan een hoge spanning opgebouwd worden. Deze hoge spanning kan de FET onherstelbaar beschadigen.

Waar een gewone transistor last heeft van het 'diode' effect, waarbij de stroom slechts in één richting kan lopen en daarbij een spanningsval van meestal 0,7 Volt heeft, gedraagt een FET zich als een weerstand. Dit komt omdat er geen N-P of P-N overgang aanwezig is, maar slechts een enkele P of N laag, waardoor er geen overgangseffecten zijn.

De belangrijkste typen FET zijn (alle typen in zowel N als P uitvoering): MOS FET GaAs FET [{JFET]] Al deze fets hebben karaktiristieke eigenschappen. In een schakeling kunnen ze niet zonder meer verwisseld worden. Zo zijn JFETS zowel gevoelig voor de Gate-Drain spanning als de Gate-Source spanning.

Zie ook: Transistor, Elektronica

externe links